Lebenslauf - Department of Chemistry

Lebenslauf
Persönliche Daten
Name:
Geburtsdatum:
Geburtsort:
Staatsangehörigkeit:
Ehestand:
Adresse:
Dr.-Ing. Bengt C. Jaeckel
24. Juli 1976
Darmstadt, Deutschland
deutsch
ledig
500 W Prospect Rd. Apt #5E
Fort Collins
Colorado - 80526 USA
Telefon: 001-970-492-9024
001-970-491-3886
E-Mail: bjaeckel@gmail.com
Skype: bjaeckel
Wissenschaftlicher Werdegang
Seit 08/05 Post doctoral fellow in the Chemistry Department at Colorado
State University, Fort Collins, Colorado/USA
Research topic:
Preparation and characterization of
metal/orgainc interfaces with surface sensitive techniques.
Advisor: Dr. B. A. Parkinson
01/02-07/05 Doktorand im Fachgebiet Oberflächenforschung, Fachbereich
Materialwissenschaft an der Technischen Universität Darmstadt
Titel der Arbeit:”Herstellung, Charakterisierung und Strukturierung epitaktischer Schichtgitterverbindungen”
Betreuer: Prof. Dr. Jaegermann
05/01-10/01 Diplomand im Fachgebiet Oberflächenforschung, Fachbereich
Materialwissenschaft an der Technischen Universität Darmstadt
Titel der Diplomarbeit:”Photo-elektronen-emissions-mikroskopie (PEEM) an Halbleitergrenzflächen”
Betreuer: Prof. Dr. Jaegermann
Dr.-Ing. Bengt Jäckel
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Beruflicher Werdegang und Lehrtätigkeit
Seit 08/05 Research and teaching assistant in the Chemistry department,
Colorado State University (Fort Collins/Colorado/USA)
01/02-07/05 Wissenschaftlicher
Mitarbeiter
im
Fachgebiet
Oberflächenforschung im Fachbereich Materialwissenschaft
an der Technischen Universität Darmstadt
Betreuer von drei Diplomarbeiten und mehrerer Praktika
11/96 - 12/03 Nachtwache und Technischer Mitarbeiter im Schlaflabor der
”Desaga-Klinik” in Lindenfels
Ausbildung
11/05
10/01
10/98
10/96 - 5/01
10/95 - 10/96
07/95
1986-1995
1982-1986
Doktorarbeit in der Materialwissenschaft (Note: mit Auszeichnung)
Diplom in Materialwissenschaft (Note: sehr gut)
Vor-Diplom in Materialwissenschaft (Note: sehr gut)
Studium der Materialwissenschaft an der Technischen Universität Darmstadt
Zivildienst im Schlaflabor der ”‘Desaga-Klinik”’ in Lindenfels
Abitur
Gymnasium: ”‘Martin Luther Schule”’ in Rimbach
Grundschule: ”‘Carl Orff Schule”’ in Lindenfels
Weitere Qualifikationen und Interessen
Sprachkenntnisse
Englisch flieend in Wort und Schrift und in Grundlagen
Französisch
Computer Mac Os X, Windows 9x, 2k and XP (Workstation and Server)
Software Office-Programs: LATEX, iLife, MS-Office, Endnote
Data-processing: Wavemetrics Igor Pro, Excel, Corel Draw,
Paint Shop Pro
Internet/Server: FTP, Dreamweaver (coding), Chat-progs.
(Skype)
Hobbies Mountain Bike-racing mit zahlreichen Siegen
2006: Zwei Siege in der ”Winterpark Epic MTB-series” (Expert category)
2005: 2. Platz 12 Stunden Mannschafts-MTB Rennen Külsheim 2005
2004: 1. Platz Deutsche Hochschulmeisterschaften Rennrad
2002: Zwei Etappen-Siege bei der ”Deutschland Tour”
Oldtimer: mein 1976er VW 181 (Kübel)
Dr.-Ing. Bengt Jäckel
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Fort Collins, den 13.02.2007
Unterschrift
Dr.-Ing. Bengt Jäckel
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Veröffentlichungen
[9]
J. B. Park, B. Jaeckel, B. A. Parkinson
”Fabrication and investigation of nanostructures on transition metal
dichalcogenide surfaces using a scanning tunneling microscope”, Langmuir 22, 5334 (2006)
[8]
Y. Lu, B. Jaeckel, B. A. Parkinson
”Preparation and characterization of terraced surfaces of low-index faces
of anatase, rutile, and brookite”, Langmuir 22, 4472 (2006)
[7]
R. Hunger, R. Fritsche, B. Jaeckel, W. Jaegermann, L. J. Webb, N. S.
Lewis
”Chemical and electronic characterization of methyl-terminated Si(111)
surfaces by high-resolution synchrotron photoelectron spectroscopy”,
Physical Review B 72, 045317 (2005)
[6]
R. Rudolph, C. Pettenkofer, J. A. Adams, F. Ohuchi, M. Olmstead, B.
Jaeckel, A. Klein and W. Jaegermann
”Electronic structure of the Si(111):GaSe van der Waals-like surface termination”, New Journal of Physics, 7, 108 (2005)
[5]
B.Jaeckel, Y.Gassenbauer, Y.Tomm and W. Jaegermann
”AFM tip induced formation of nanometer scale structures on WSe2 under defined conditions”, Surface Science 597, 65 (2005)
[4]
T. Schulmeyer, R. Hunger, R. Fritsche, B. Jackel, W. Jaegermann, A.
Klein, R. Kniese, M. Powalla
”Interfaces of chalcogenide solar cells: a study of the composition at the
Cu(In,Ga) Se2 /CdS contact”, Thin Solid Films 480 110 (2005)
[3]
B.Jaeckel, R. Fritsche, A. Klein and W. Jaegermann
”II-VI-Semiconductors onto Si(111)-surfaces - ZnS onto bare and GaSe
terminated surfaces”, AIP Conference Proceedings ICPS-2004 722, 153
(2005)
[2]
R. Fritsche, B.Jaeckel, A. Klein and W. Jaegermann
”High-resolution photoemission study of the Si(111)/Au interface and
its modification by a GaSe van der Waals termination layer”, Applied
Surface science, 234, 321 (2004)
[1]
O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, B. Jaeckel and W. Jaegermann
”Surface characterization of In4 Se3 single crystal”, Physica E: Lowdimensional Systems and Nanostructures 22, 921 (2004)
Dr.-Ing. Bengt Jäckel
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Vorträge und Konferenzbeiträge
03/07
DPG-Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg
”Surface and Interface Properties of Chrysene on inert Substrates”
”BINAP’s on Au(111) - Electronic interface properties”
09/06
ACS-meeting, San Francisco/California/USA
”Investigation of 2D and 3D Chirality at (organic-) Molecule/metal interfaces”
05/06
209th ECS Meeting, Denver/Colorado/USA
” Influence of Interface Dipole Potentials on the Growth-morphologhy at
organic/ metal and organic/semiconducting interface”
03/05
DPG-Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Berlin
”Facet and layer formation of II-VI-semiconductors on GaSe van der
Waals terminated Si(111)”
”A simple model system for silicon/organic interfaces: Si(111)-CH3 ”
07/04
27th International Conference on the Physics of Semiconductors,
Flagstaff/Arizona/USA
”II-VI-Semiconductors onto Si(111)-surfaces - ZnS onto bare and GaSe
terminated surfaces”
03/04
DPG-Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Regensburg
”Growth of a GaSe half-sheet on Si(111)”
”Influence of selenium and steps on the Si(111)-(1x1)”
09/03
ICFSI-9: The 9th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid/Spain
”Investigations of GaSe half-sheet terminated Si(111) surfaces with scanning probe techniques”
03/03
DPG-Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik, Dresden
Oberflächen- und Grenzflächeneigenschaften von GaSe terminiertem
Si(111)”
02/03
DFG Schwerpunktprogramm: Grundlagen der elektrochemischen Nanotechnologie
Workshop: ”Halbleiter-Elektrochemie”, Jugendheim
”Preparation and nanostructuring of semiconductors van der Waals epitaxy layers”
Dr.-Ing. Bengt Jäckel
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